9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT29F100L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT29F100L参考价格为13.02400美元。微芯片技术APT29F100L封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 30A TO264。您可以下载APT29F100L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT28M120L是MOSFET N-CH 1200V 29A TO264，包括0.373904盎司的单位重量，它们设计用于通孔安装型，产品名称显示在数据表注释中，用于POWER MOS 8，提供to-264-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1.135 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为48 ns，器件的上升时间为31 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为29 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为170ns，典型接通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为300nC，正向跨导最小值为31S，沟道模式为增强。
APT28M120B2是MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-30 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1.2 kV，提供典型的开启延迟时间功能，如50 ns，典型的关闭延迟时间设计为170 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为31 ns，器件的漏极-源极电阻为530 mOhms Rds，器件具有300 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为1.135 kW，封装为卷轴式，封装盒为TMAX-3，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为29A，且正向跨导Min为31S，且下降时间为48ns，且配置为单一，且通道模式为增强。
APT29F100B2是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于33 ns，提供最小正向跨导特性，如34 S，Id连续漏电流设计为在30 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，该器件采用T-Max封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为1.04 kW，Qg栅极电荷为260 nC，漏极电阻Rds为440 mOhm，上升时间为35 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为130ns，典型的接通延迟时间为39ns，Vds漏极-源极击穿电压为1kV，Vgs栅源极电压为+/-30V，Vgsth栅源极阈值电压为4V。
