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APT94N65B2C6是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括通孔安装型，它们设计为与TMAX-3封装盒一起工作，数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了单级、Pd功耗等配置功能，设计为工作在833 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃。此外，下降时间为172 ns，器件的上升时间为59 ns，器件具有+/-20 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为94 a，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgs第栅-源极阈值电压为3 V，Rds漏极源极电阻为35 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为323ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为320nC，沟道模式为增强。
APT95GR65B2带有用户指南，其中包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、95A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于433V、95V、4.3 Ohm、15V，提供Si、Td on off 25°C等技术特性，设计为在29ns/226ns下工作，以及3.12mJ（开）、2.55mJ（关）开关能量，该设备也可以用作T-MAX？[B2]供应商设备包。此外，最大功率为892W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为NPT，栅极电荷为420nC，集电器脉冲Icm为400A，集电器Ic最大值为208A。
APT97N65LC6是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括Si技术。
