9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT66M60L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT66M60L参考价格为18.10600美元。Microchip Technology APT66M60L封装/规格：MOSFET N-CH 600V 70A TO264。您可以下载APT66M60L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT66F60L是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括卷轴封装，它们设计为以0.352740盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-264等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及单配置，该设备也可以用作1.135 kW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为70 ns，上升时间为85 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为70 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为225ns，典型接通延迟时间为75ns，Qg栅极电荷为330nC，正向跨导最小值为65S，沟道模式为增强。
APT66F60B2是MOSFET N-CH 600V 70A TO-247，包括4 V Vgs栅源阈值电压，设计用于30 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，具有典型的开启延迟时间特性，如75 ns，典型的关闭延迟时间设计为225 ns，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作POWER MOS 8商标。此外，该技术为Si，器件的上升时间为85 ns，器件的漏极-源极电阻为75 mOhms，Qg栅极电荷为330 nC，Pd功耗为1.135 kW，封装为卷轴式，封装外壳为T-Max-3，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为70 A，正向跨导最小值为65 S，下降时间为70 ns，信道模式为增强。
APT66M60B2是MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX，包括增强信道模式，它们设计为在70 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于65 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，例如70 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为T-Max-3，器件提供1.135 kW Pd功耗，器件具有330 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为75 mOhms，上升时间为85 ns，技术为Si，商品名为Power MOS 8，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为225 ns，典型接通延迟时间为75 ns，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V，Vgs第栅极-源极端电压为4V。
