功率MOS 7TM是新一代低损耗、高电压、N沟道增强型功率MOSFET。通过显著降低RDS（ON）和Qg，功率MOS 7TMb解决了导通和开关损耗。功率MOS 7TM结合了较低的传导和开关损耗以及APTs专利金属栅极结构固有的极快的开关速度。
•较低的输入电容
•功耗增加
•米勒电容较低
•更易于驾驶
•下栅极电荷，Qg
•PFC“升压”配置
APT50M75JLLU2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 290W（Tc） 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 31
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 31+ | 234.77976 | 7278.17262 |
- 库存: 0
- 单价: ¥221.52526
-
数量:
- +
- 总计: ¥7,278.17
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 123 nC@10 V
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 SOT-227-4，迷你超直瞄
- 供应商设备包装 SOT-227
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 51A (Tc)
- 最大功耗 290W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 75毫欧姆 @ 25.5A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5590 pF @ 25 V
APT50M75JLLU2 产品详情
APT50M75JLLU2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | APTP-ABKPA012-001 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | VENT NUT PLASTIC M12*1.5,BK | ¥5.28732 |
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 | APT-106 | 艾博康 (Abracon) | LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP | ¥11.42408 |
 | APT-106-T | 艾博康 (Abracon) | LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP | ¥11.42408 |
 | APT-C59 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | EZ APTC59 CAUTION TAG MEN WORKIN | ¥18.4694 |
| APTD3216-PZ23 | 今台 (Kingbright) | LED BLUE POINTER SMD | ¥0.22454 |
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| APT30SCD65B | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 46A 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: TO-247 工作结温: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥22.53991 | |
 | APT1608SF4C-PRV | 今台 (Kingbright) | 种类: 红外线（IR） 工作波长: 880nm 正向电流属性DC值: 50毫安 最小辐射强度: 0.8mW/sr@20毫安 包装/外壳: 0603（1608公制） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） | ¥3.9836 |
APT50M75JLLU2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，APT50M75JLLU2 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。APT50M75JLLU2价格参考￥221.525255，你可以下载 APT50M75JLLU2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询APT50M75JLLU2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
