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APT17F100B是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括卷轴封装，它们设计用于1.340411盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Power MOS 8等商标功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可用作625 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为28 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000 V，Vgs第h栅极-源极端电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为670mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为150nC，正向跨导最小值为19S，沟道模式为增强。
APT17F120J是分立半导体模块电源FREDFET-MOS8，包括散装封装。
APT17F100S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
