使用OptiMOS™ 5 25V和30V产品系列，英飞凌通过在待机和完全运行状态下实现最高功率密度和能效，提供基准解决方案。
特色
- 最佳状态电阻
- 基准切换性能（x Q g和
x Q gd上的R） - 符合RoHS标准且无卤素
- 优化的EMI行为（集成
阻尼网络） - 最高的效率
- S3O8或power Block封装的最高功率密度
- 降低总体系统成本
- 高开关频率下的操作
应用
- 桌面和服务器
- 单相和多相POL
- 笔记本电脑中的CPU/GPU VR
- 高功率密度稳压器
- 或
- 电子保险丝
BSZ0500NSIATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 40A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、69W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-FL 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 19.19368 | 19.19368 |
| 10+ | 17.20913 | 172.09130 |
| 100+ | 13.83249 | 1383.24900 |
| 500+ | 11.36497 | 5682.48950 |
| 1000+ | 10.82379 | 10823.79000 |
| 5000+ | 10.82379 | 54118.95000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥16.65867
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.19
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 52 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3400 pF @ 15 V
- 最大功耗 2.1W（Ta）、69W（Tc）
- 供应商设备包装 PG-TSDSON-8-FL
- 导通电阻 Rds(ON) 1.5毫欧姆@20A，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Ta), 40A (Tc)
BSZ0500NSIATMA1 产品详情
BSZ0500NSIATMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSZ0503NSIATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | TRENCH <= 40V | ¥2.92567 |
 | BSZ076N06NS3G | 英飞凌 (Infineon) | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.11445 |
 | BSZ0909NDXTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 供应商设备包装: PG-WISON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.87833 |
 | BSZ215CHXTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A, 3.2A 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
| BSZ340N08NS3G | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.82738 | |
| BSZ036NE2LS | 英飞凌 (Infineon) | ¥2.1888 | |
| BSZ0901NS | 英飞凌 (Infineon) | ¥3.09634 | |
| BSZ0909NS | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.44568 | |
| BSZ096N10LS5 | 英飞凌 (Infineon) | ¥13.23495 | |
| BSZ0945ND | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.70643 |
BSZ0500NSIATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSZ0500NSIATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSZ0500NSIATMA1价格参考￥16.658670，你可以下载 BSZ0500NSIATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSZ0500NSIATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
