9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的VN3205N3-G-P002，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VN3205N3-G-P002参考价格为1.27601美元。Microchip Technology VN3205N3-G-P002封装/规格：MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3。您可以下载VN3205N3-G-P002英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VN3205N3-G是MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3，包括散装封装，它们设计用于0.016000盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds漏极漏极-漏极电阻为300mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
带有用户指南的VN3205N3-G P003，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在50 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为15 ns，器件的漏极电阻为450 mOhms，Pd功耗为1 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.2 A，下降时间为25 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的VN3205N3-G P014，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了25 ns的下降时间，提供了1.2 a等Id连续漏电流特性，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件在TO-92-3封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为1W，Rds漏极-源极电阻为450m欧姆，上升时间为15ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Vgs栅极-源极电压为20V。
VN3205N3-G-P002，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3封装盒，它们设计为以通孔安装方式操作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供Si等技术功能，封装设计为在卷轴中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可作为增强通道模式使用。此外，Vds漏极-源极击穿电压为50V，器件的漏极-漏极电阻为450mOhms Rds，器件具有25ns的下降时间，典型关断延迟时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为20V，上升时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，Id连续漏极电流为1.2A，Pd功耗为1W，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.016000盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃。
