9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT75M50L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT75M50L参考价格$14.19000。Microchip Technology APT75M50L封装/规格：MOSFET N-CH 500V 75A TO264。您可以下载APT75M50L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT75M50L价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT75GT120JU3是POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于1.058219盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供ISOTOP等商标特征，包装箱设计用于ISOTOP，以及底盘安装安装类型，该设备也可以用作SOT-227供应商设备包。此外，输入是标准的，该设备以单配置提供，该设备的最大功率为416W，集电器Ic最大值为100A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为5mA，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，NTC热敏电阻为否，Pd功耗为416 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为1.7 V，25 C时的连续集电极电流为100 A，栅极-发射极漏电流为500 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
APT75M50B2是MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-30 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供典型的开启延迟时间功能，如45 ns，典型的关闭延迟时间设计为120 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为55 ns，器件的漏极-源极电阻为75 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为290 nC，Pd功耗为1.04 kW，封装外壳为T-Max-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为75A，正向跨导最小值为55S，下降时间为39ns，配置为1N信道，信道模式为增强。
APT75GT12OJRDQ3，带有APT制造的电路图。APT75GT22OJRQ3在模块包中提供，是模块的一部分。
