9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT77N60BC6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT77N60BC6参考价格为12.62000美元。Microchip Technology APT77N60BC6封装/规格：MOSFET N-CH 600V 77A TO247。您可以下载APT77N60BC6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT77N60BC6价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如APT77N60BC6库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
APT75M50L是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括散装封装，其设计为单位重量为0.373904盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-264-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作1 N通道配置。此外，Pd功耗为1.04kW，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为39ns，上升时间为55ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，Id连续漏极电流为75A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为45ns，Qg栅极电荷为290nC，正向跨导最小值为55S，沟道模式为增强。
APT75M50B2是MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-30 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供典型的开启延迟时间功能，如45 ns，典型的关闭延迟时间设计为120 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为55 ns，器件的漏极-源极电阻为75 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为290 nC，Pd功耗为1.04 kW，封装外壳为T-Max-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为75A，正向跨导最小值为55S，下降时间为39ns，配置为1N信道，信道模式为增强。
APT75GT12OJRDQ3，带有APT制造的电路图。APT75GT22OJRQ3在模块包中提供，是模块的一部分。
