G2R50MT33K

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 安装类别 通孔
• 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
• 技术 SiCFET（碳化硅）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 20伏
• 供应商设备包装 TO-247-4
• 包装/外壳 至247-4
• 最大栅源极电压 (Vgs) +25伏、-10伏
• 场效应管特性 标准
• 漏源电压标 (Vdss) 3300伏
• 漏源电流 (Id) @ 温度 63A (Tc)
• 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 40A, 20V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@10毫安（典型）
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 340 nC @ 20 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7301 pF @ 1000 V
• 最大功耗 536W (Tc)