特色
- AEC−Q101合格和PPAP能力
- 汽车MOSFET
- 符合RoHS
应用
- 电源
- 转换器
- 动力电机控制
- 桥接电路
（图片：引出线）
NVF3055L108T3G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 4000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.59103 | 6.59103 |
| 4000+ | 2.80271 | 11210.85200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.50339
-
数量:
- +
- 总计: ¥11,210.85
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
- 最大功耗 1.3W（Ta）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 440 pF @ 25 V
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC @ 5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 120欧姆@1.5A，5V
- 供应商设备包装 SOT-223 (TO-261)
- 部件状态 过时的
- 材质 钢
NVF3055L108T3G 产品详情
汽车功率MOSFET，60V，3A，120 mOhm，单N沟道，SOT-223，逻辑电平。设计用于电源、转换器、电机控制和桥接电路中的低压、高速开关应用。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVF3055L108T3G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVF3055L108T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.13594 |
 | NVF5P03T3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.56W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.66347 |
 | NVF6P02T3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 8.3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | NVF2955T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.9812 |
| NVF3055L108T3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.50339 |
 | NVF3055-100T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥98.88007 |
 | NVF2201NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: SC-70-3（SOT323） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.507 |
 | NVF2955PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥69.01035 |
 | NVF04M | 九芯电子 (NINE CIHP) | 暂无 | ¥4.3404 |
NVF3055L108T3G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVF3055L108T3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVF3055L108T3G价格参考￥3.503391，你可以下载 NVF3055L108T3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVF3055L108T3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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