
G3R20MT17K
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A(Tc) 最大功耗: 809W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
 - 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
 - 交期:5-7 工作日
 
渠道: 
 - 自营
 - 得捷
 - 贸泽
 
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 | 
|---|---|---|
| 1+ | 823.08315 | 823.08315 | 
| 10+ | 792.59779 | 7925.97790 | 
- 库存: 0
 - 单价: ¥694.23197
 - 
                  数量:
                  - +
 - 总计: ¥823.08
 
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规格参数
- 部件状态 可供货
 - 场效应管类型 n通道
 - 场效应管特性 -
 - 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
 - 安装类别 通孔
 - 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
 - 技术 SiCFET(碳化硅)
 - 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
 - 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
 - 漏源电压标 (Vdss) 1700伏
 - 供应商设备包装 TO-247-4
 - 包装/外壳 至247-4
 - 漏源电流 (Id) @ 温度 124A(Tc)
 - 导通电阻 Rds(ON) 26毫欧姆@75A,15V
 - 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@15毫安
 - 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 400 nC @ 15 V
 - 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10187 pF@1000 V
 - 最大功耗 809W (Tc)
 
G3R20MT17K所属分类:分立场效应晶体管 (FET),G3R20MT17K 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。G3R20MT17K价格参考¥694.231965,你可以下载 G3R20MT17K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询G3R20MT17K规格参数、现货库存、封装信息等信息!
基因半导体公司 (GeneSiC)
GeneSiC是碳化硅技术的先驱和世界领先者,同时也投资于高功率硅技术。全球领先的工业和国防系统制造商依靠GeneSiC的技术来提高产品的性能和效率。




















