SI2306-TP
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.16A（Ta） 最大功耗: 750mW 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 微型商业组件 (Micro)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.25930 | 3.25930 |
| 10+ | 2.41912 | 24.19129 |
| 100+ | 1.37180 | 137.18050 |
| 500+ | 0.90826 | 454.13000 |
| 1000+ | 0.69633 | 696.33200 |
| 3000+ | 0.60550 | 1816.51800 |
| 6000+ | 0.54495 | 3269.73600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.25931
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.26
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 SOT-23
- 制造厂商 微型商业组件 (Micro)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.16A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.5 nC @ 5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 305 pF @ 15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 2.5A, 4.5V
- 最大功耗 750mW
SI2306-TP 产品详情
微型商用组件N沟道中功率和小信号MOSFET坚固可靠。MOSFET有多种表面安装封装，包括SOT、DFN、SOP和Dpak。N沟道MOSFET具有0.012-8.0的低导通电阻（RDS）范围和高达800V的高压版本。N沟道中功率和小信号MOSFET的工作和存储温度为-55�C至+150�C
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | SI2493-D-GT | 芯科 (Silicon) | 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 24 TSSOP 安装类别: 表面安装 | ¥458.22244 |
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 | SI2181-B60-GMR | 芯科 (Silicon) | 功能: 解调器 电源电压: 1.14伏~ 1.3伏 供应商设备包装: 48-QFN（7x7） | ¥51.14948 |
| SI2302-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,2.8A | ¥0.08823 |
 | SI2302 | 伯恩半导体 (BORN) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A | ¥0.14848 |
SI2306-TP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2306-TP 由 微型商业组件 (Micro) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2306-TP价格参考￥3.259305，你可以下载 SI2306-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2306-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微型商业组件 (Micro)
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