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FDMC86102LZ是MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007408盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有8-MLP（3.3x3.3），电源33为供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.3W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为1290pF@50V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A（Ta），18A（Tc），Rds On最大Id Vgs为24mOhm@6.5A，10V，Vgs th最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，Pd功耗为41W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.5 ns，上升时间为2.3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs栅-源极阈值电压为1.6 V，Rds漏极源极电阻为24 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为7.1ns，Qg栅极电荷为15.3nC，正向跨导Min为24S。
FDMC86102L是MOSFET N-CH 100V 7A POWER33，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在100V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007408盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作8-MLP（3.3x3.3）供应商设备包。此外，该系列为PowerTrenchR，该器件提供23 mOhm@7A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件具有23 mOhms Rds On Drain Source电阻，Qg栅极电荷为7.3 nC 15 nC，最大功率为2.3W，Pd功耗为41 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerWDFN，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为1330pF@50V，Id连续漏极电流为18A，栅极电荷Qg-Vgs为22nC@10V，正向跨导最小值为26 S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，25°C的电流连续漏极Id为7A（Ta），18A（Tc）。
FDMC86106，电路图由Fairchild制造。FDMC86106在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
