特色
- RDS（开启）=770米Ω （典型）@VGS=10V，ID=4A
- 低栅极电荷（典型值14nC）
- 低铬（典型值5pF）
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
- ESD改进能力
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 液晶/LED电视
- 照明
- 不间断电源
- AC-DC电源
FDP8N50NZ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 130W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.60264 | 12.60264 |
| 10+ | 11.26995 | 112.69952 |
| 100+ | 8.78853 | 878.85350 |
| 500+ | 7.25999 | 3629.99650 |
| 1000+ | 6.07896 | 6078.96600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.60265
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.60
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功耗 130W（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 500 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 735 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 850毫欧姆 @ 4A, 10V
FDP8N50NZ 产品详情
UniFETTM II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。这种先进的MOSFET家族在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，并且还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV的HBM浪涌应力。该设备系列适用于开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视功率、ATX和电子镇流器。
FDP8N50NZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDP-1500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M | ¥220.18416 |
 | FDP-N500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM | ¥169.48386 |
 | FDP-500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM | ¥169.48386 |
 | FDP-1000 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M | ¥203.52549 |
| FDP-N1000 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M | ¥203.52549 |
 | FDP-N1500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M | ¥220.18416 |
 | FDPC8011S | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN | ¥13.03722 |
| FDPC3D5N025X9D | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A 供应商设备包装: 12-PQFN（3.3x3.3） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,377.19398 |
 | FDPF320N06L | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.66347 |
 | FDP18N50 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 235W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 |
FDP8N50NZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDP8N50NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDP8N50NZ价格参考￥12.602646，你可以下载 FDP8N50NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDP8N50NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
