NVH4L022N120M3S
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 68A (Tc) 最大功耗: 352W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 164.63111 | 164.63111 |
| 10+ | 151.82567 | 1518.25670 |
| 25+ | 145.00575 | 3625.14387 |
| 100+ | 140.82008 | 14082.00830 |
- 库存: 430
- 单价: ¥164.63112
-
数量:
- +
- 总计: ¥164.63
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规格参数
- 宽（英寸） thirty-six
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 技术 SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
- 包装/外壳 至247-4
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 18伏
- 供应商设备包装 TO-247-4L
- 漏源电流 (Id) @ 温度 68A (Tc)
- 最大栅源极电压 (Vgs) +22伏、-10伏
- 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 40A, 18V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.4V @ 20毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 151 nC@18 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3175 pF @ 800 V
- 最大功耗 352W (Tc)
- 材质 -
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | NVHL020N120SC1 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 103A（Tc） 最大功耗: 535W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥283.92168 |
 | NVHL110N65S3F | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.37097 |
 | NVHL072N65S3 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 312W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.20251 |
 | NVHL020N090SC1 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 118A（Tc） 最大功耗: 503W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥243.28901 |
 | NVH4L160N120SC1 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.3A（Tc） 最大功耗: 111W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥63.95481 |
 | NVHL050N65S3HF | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 403W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥84.45221 |
 | NVH4L060N090SC1 | 安盛美 (onsemi) | - | ¥94.80956 |
 | NVH4L040N65S3F | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 446W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥101.69032 |
 | NVHL027N65S3F | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 595W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.04008 |
NVH4L022N120M3S所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVH4L022N120M3S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVH4L022N120M3S价格参考￥164.631117，你可以下载 NVH4L022N120M3S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVH4L022N120M3S规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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