9icnet为您提供由英飞凌技术公司设计和生产的BSP37E6327，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSP373E6327参考价格为0.21000美元。Infineon Technologies BSP37E6327封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载BSP373E6327英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSP372N H6327是MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223，包括BSP372系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于BSP372NH6327XTSA1 SP001059326的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于PG-SOT223，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.8 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为6.7 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为1.8 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为153mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47.3ns，典型接通延迟时间为5.1ns，Qg栅极电荷为9.5nC，正向跨导最小值为5.1S，沟道模式为增强。
BSP372NH6327XTSA1和用户指南，包括1.4 V Vgs栅源阈值电压，设计用于+/-20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如5.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为47.3 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为6.7 ns，器件具有153 mOhm的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为9.5 nC，Pd功耗为1.8 W，零件别名为BSP372N H6327 SP001059326，封装为卷筒，封装外壳为SOT-223-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为1.8 A，正向跨导最小值为5.1 S，下降时间为18 ns，配置为单一，信道模式为增强。
BSP373带有INF制造的电路图。BSP373以SOT-223封装形式提供，是FET的一部分-单个。
