9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDP023N08B-F102，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDP023N08B-F102参考价格$3.94000。onsemi FDP023N08B-F102封装/规格：MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3。您可以下载FDP023N08B-F102英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如FDP023N08B-F102价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FDP020N06B_F102带有引脚细节，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.063493盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的TO-220-3，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为333W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为20930pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为120A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2 mOhm@100A，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为268nC@10V，Pd功耗为333 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为313 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极上源极电阻为1.65mOhm，晶体管极性为N沟道。
FDP020N06B是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3。FDP020N06B在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3。
FDP023N08B是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3。FDP023N08B采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3。
