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APT1608ZGCK是LED绿色透明0603 SMD，包括绿色，它们设计用于HELI2系列，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于0603（1608公制），以及表面安装安装类型，该装置也可用于1.60mm长x 0.80mm宽的尺寸尺寸。此外，供应商设备包为芯片LED，该设备提供120°视角，该设备具有3.3V正向电压Vf Typ，电流测试为20mA，毫米烛光额定值为350mcd，波长峰值为515nm，透镜样式尺寸为带平顶的矩形，1.20mm x 0.80mm，透镜颜色为无色，透镜透明度为透明，主波长为525nm，最大高度为0.75mm，最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为3.3 V，照明颜色为绿色，LED尺寸为1.6 mm x 0.8 mm，如果正向电流为20 mA，波长色温为525 nm，发光强度为350mcd，镜头颜色样式为水透明。
APT17F100B是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1000 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，典型开启延迟时间设计为29 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8，该器件采用Si技术，该器件的上升时间为31纳秒，漏极-源极电阻Rds为670毫欧，Qg栅极电荷为150 nC，Pd功耗为625 W，包装为卷轴式，包装盒为TO-247-3，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为17A，正向跨导最小值为19S，下降时间为28ns，信道模式为增强。
APT17F100S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
