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BSZ180P03NS3E G是MOSFET P-Ch-30V-39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3，包括OptiMOS P3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSZ180P02NS3EGATMA1 BSZ180P01NS3EGXT SP000709740的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为40 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为-39.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为18欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为20nC，并且前向跨导Min为18S，并且信道模式为增强。
BSZ180P03NS3 G是MOSFET P-Ch-30 V-39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 P沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供OptiMOS等商品名功能，技术设计用于Si，以及OptiMOS P3系列，该器件也可以用作18毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，部件别名为BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P02NS3GXT SP0007099744，该设备采用卷筒包装，该设备具有TSDSON-8封装盒，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为-39.6A，配置为单信道。
BSZ16DN25NS3GATMA1是MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3，包括1个信道数量的信道，它们设计为与TSDSON-8封装盒一起工作，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如BSZ16DN2 5NS3 BSZ16DN35NS3GXT G SP000781800，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
