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BSZ0904NSI是MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的BSZ0904NS ATMA1 BSZ0904 NSIX SP000854390，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为3 ns，上升时间为4.4 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型导通延迟时间为3.3ns，Qg栅极电荷为8.5nC，正向跨导Min为82S。
BSZ0902NSIATMA1是MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在用于OptiMOS的数据表注释中，该OptiMOS提供Si等技术特性，系列设计用于BSZ0902，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TSDSON-8，该设备提供1信道数信道。
BSZ0904NSIATMA1是MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS，包括1个通道数的通道，它们设计用于TSDSON-8封装盒，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如BSZ0904 NSI BSZ0904NS XT SP000854390，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
带有INFINEO制造的EDA/CAD模型的BSZ0908ND。BSZ0908ND采用PG-WISON-8封装，是IC芯片的一部分。
