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BSZ035N03LS G是MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于卷盘封装,数据表注释中显示了用于BSZ035NO3LSGATMA1 BSZ035NO 3LSGXT SP000278809的零件别名,该产品提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于OptiMOS,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件采用单四漏三源配置,该器件具有1 N信道晶体管型,Pd功耗为2.1W,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,下降时间为5 ns,上升时间为5.4 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为40A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds导通漏极-漏极电阻为3.5m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为30ns,典型接通延迟时间为7.8ns,沟道模式为增强。
BSZ035N03LS,带有INFINEON制造的用户指南。BSZ035N03LS在TSDSON-8封装中提供,是FET的一部分-单个。
BSZ035N03LSG,带有INFINEON制造的电路图。BSZ035N03LSG在QFN封装中提供,是FET的一部分-单个。