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BSZ036NE2LS是MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8,包括OptiMOS系列,它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSZ036NE 2LSATMA1 BSZ036NEXXT SP000854572的零件别名,该产品提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于OptiMOS,以及TDSON-8封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件采用单四漏三源配置,该器件具有1 N信道晶体管型,Pd功耗为69 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为5.2 ns,上升时间为5.2纳秒,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为50A,Vds漏极-源极击穿电压为25V,Rds漏极源极导通电阻为5mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为32nS,Qg栅极电荷为22nC。
BSZ036NE2LSATMA1是MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作,产品名称显示在用于OptiMOS的数据表注释中,该OptiMOS提供Si等技术特性,系列设计用于BSZ036NE 2,以及BSZ036NEXXT SP000854572部件别名,该装置也可以用作卷筒包装。此外,包装箱为TSDSON-8,该设备提供1信道数信道。
BSZ035N03MSG,带有INFINEON制造的电路图。BSZ035N03MSG在QFN8封装中提供,是FET的一部分-单个。