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BSZ130N03MS G是MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8,包括OptiMOS 3M系列,它们设计用于卷盘封装,零件别名如数据表注释所示,用于BSZ130NO3MSGATMA1 BSZ130NO 3MSGXT SP000313122,提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于OptiMOS,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件采用单四漏三源配置,该器件具有1 N信道晶体管型,Pd功耗为2.1W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为2 ns,上升时间为2.2 ns,并且Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为9A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds漏极源极导通电阻为11.5mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为13ns,典型接通延迟时间为3.4ns,沟道模式为增强。
BSZ150N10LS3 G是MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术,该Si提供了BSZ15DC02等系列功能,零件别名设计用于BSZ150N1 0LS3GATMA1 SP001002916,以及卷筒包装,该装置也可用作TSDSON-8包装箱。此外,信道数为1信道,该设备以SMD/SMT安装方式提供。
BSZ130N03MS,带有INFINEON制造的电路图。BSZ130N03MS在TDSON8封装中提供,是FET的一部分-单个。
BSZ130N03MSG,带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BSZ130N03MSG在TDSON8封装中提供,是FET的一部分-单个。