英飞凌的OptiMOS™ 与前几代相比，5 80V工业功率MOSFET BSZ075N08NS5的RDS（开启）降低了43%，非常适合高开关频率。该系列设备特别设计用于电信和服务器电源的同步整流。此外，它们还可用于其他工业应用，如太阳能、低压驱动器和适配器。
特色
- 针对同步整流进行了优化
- 适用于高开关频率
- 输出电容减少高达44%
- R DS（开启）减少高达44%
- 最高的系统效率
- 减少开关和传导损耗
- 需要更少的并联
- 提高功率密度
- 低压过冲
BSZ075N08NS5ATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 69W (Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.18207 | 13.18207 |
| 10+ | 11.82765 | 118.27656 |
| 100+ | 9.50485 | 950.48580 |
| 500+ | 7.80886 | 3904.43000 |
| 1000+ | 7.43701 | 7437.01000 |
| 5000+ | 7.43701 | 37185.05000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.81993
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.18
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规格参数
- 长（英寸） ninety-six
- 宽（英寸） thirty-six
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
- 最大功耗 69W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 7.5毫欧姆 @ 20A, 10V
- 供应商设备包装 PG-TSDSON-8
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29.5 nC@10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 36A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2080 pF@40 V
- 材质 -
BSZ075N08NS5ATMA1 产品详情
BSZ075N08NS5ATMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSZ0503NSIATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | TRENCH <= 40V | ¥2.92567 |
 | BSZ076N06NS3G | 英飞凌 (Infineon) | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.11445 |
 | BSZ0909NDXTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 供应商设备包装: PG-WISON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.87833 |
 | BSZ215CHXTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A, 3.2A 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
| BSZ340N08NS3G | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.82738 | |
| BSZ036NE2LS | 英飞凌 (Infineon) | ¥2.1888 | |
| BSZ0901NS | 英飞凌 (Infineon) | ¥3.09634 | |
| BSZ0909NS | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.44568 | |
| BSZ096N10LS5 | 英飞凌 (Infineon) | ¥13.23495 | |
| BSZ0945ND | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.70643 |
BSZ075N08NS5ATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSZ075N08NS5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSZ075N08NS5ATMA1价格参考￥12.819933，你可以下载 BSZ075N08NS5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSZ075N08NS5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
