9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSZ160N10NS3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSZ160N10NS3GATMA1参考价格为1.74000美元。Infineon Technologies BSZ160N10NS3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON。您可以下载BSZ160N10NS33GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSZ160N10NS3G是MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了零件别名，用于BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N1 0NS3GXT SP000482390，该设备提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及8 PowerTDFN包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PG-TSDSON-8（3.3x3.3），配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，功率最大为63W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1700pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8A（Ta），40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为16mOhm@20A，10V，Vgs最大Id为3.5V@12μA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@10V，Pd功耗为2.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为5 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为16 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为13ns，信道模式为增强。
BSZ15DC02KDHXTMA1带有用户指南，包括1.4V@110μA Vgs th Max Id，设计用于1 P沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于P沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3），以及汽车、AEC-Q101、OptiMOS？系列，该设备也可以用作55 mOhm@5.1A，4.5V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为2.5W，该设备采用BSZ15DC02KD H SP000961028零件别名，该设备具有包装胶带和卷轴（TR），包装箱为8-PowerTDFN，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1个通道，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为419pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为2.8nC@4.5V，FET类型为N和P沟道互补，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为5.1A，3.2A。
BSZ160N10NS3 G是INFINEO制造的MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3。BSZ160N10NS3 G采用TSDSON封装，是IC芯片的一部分，支持MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3。
