RM8N650T2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞特隆 (Rectron)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 5000
- 库存: 0
- 单价: ¥3.76631
-
数量:
- +
- 总计: ¥18,831.54
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
- 最大功耗 80W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 680 pF @ 50 V
- 导通电阻 Rds(ON) 450毫欧姆 @ 4A, 10V
- 制造厂商 瑞特隆 (Rectron)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| RM8N650T2 | 瑞特隆 (Rectron) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | RM8N650LD | 瑞特隆 (Rectron) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-252-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
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RM8N650T2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RM8N650T2 由 瑞特隆 (Rectron) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RM8N650T2价格参考￥3.766308，你可以下载 RM8N650T2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RM8N650T2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞特隆 (Rectron)
Rectron有限公司成立于1976年，由一群经验丰富的半导体工程师组成。Rectron迅速成为公认的高质量分立半导体供应商。1985年，Rectron在美国、伦敦和香港开设了全资子公司。此后，他们增强...
