SQ7414CENW-T1_GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.24290 | 7.24290 |
| 10+ | 6.48239 | 64.82396 |
| 100+ | 5.05554 | 505.55440 |
| 500+ | 4.17654 | 2088.27300 |
| 1000+ | 3.29725 | 3297.25800 |
| 3000+ | 3.29718 | 9891.55500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.24290
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.24
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 18A（Tc）
- 最大功耗 62W (Tc)
- 供应商设备包装 PowerPAK1212-8W
- 包装/外壳 PowerPAK1212-8W
- 导通电阻 Rds(ON) 23毫欧姆@8.7A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1590 pF@30 V
- 材质 -
SQ7414CENW-T1_GE3 产品详情
P沟道MOSFET，SQ加固系列，Vishay半导体
SQ7414CENW-T1_GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SQ7414AEN-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.09804 |
| SQ7414CENW-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.2429 |
 | SQ7415CENW-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.38776 |
 | SQ7415AEN-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.01161 |
 | SQ7415AEN-T1_BE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥76.36914 |
 | SQ7414AENW-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.1956 |
 | SQ7415AENW-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥139.52723 |
 | SQ7414AEN-T1_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.35927 |
 | SQ7613 | 暂无 | ¥8.35501 | |
| SQ7617LA044SGTR | 暂无 | ¥12.25402 |
SQ7414CENW-T1_GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SQ7414CENW-T1_GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQ7414CENW-T1_GE3价格参考￥7.242900，你可以下载 SQ7414CENW-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQ7414CENW-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
