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FDP083N15A-F102是MOSFET 150V N沟道功率沟道MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.063493盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供231 W Pd功耗，器件的下降时间为26 ns，上升时间为58 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为105 a，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，漏极-源极电阻Rds为6.85mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为64.5nC，正向跨导Min为139S。
FDP083N15A是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 150V TO-220-3。FDP083N15A在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 150V TO-220-3，N沟道150V 83A（Tc）294W（Tc）通孔TO-220-3。
FDP085N10A是FSC制造的MOSFET N-CH 100V TO-220-3。FDP085N10A可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 100V TO-220-3，N沟道100V 96A（Tc）188W（Tc）通孔TO-220-3。
