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GPI65060DFN

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 氮化镓电力有限公司 (GaNPower)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 216.49200 216.49200
  • 库存: 116
  • 单价: ¥216.49200
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥216.49
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 技术 氮化镓
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大功耗 -
  • 供应商设备包装 Die
  • 包装/外壳
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 60A
  • 制造厂商 氮化镓电力有限公司 (GaNPower)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@3.5毫安
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +7.5伏、-12伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 6 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 420 pF @ 400 V
  • 色彩/颜色 不锈钢

GPI65060DFN 产品详情

GPI65060DFN所属分类:分立场效应晶体管 (FET),GPI65060DFN 由 氮化镓电力有限公司 (GaNPower) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GPI65060DFN价格参考¥216.492000,你可以下载 GPI65060DFN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GPI65060DFN规格参数、现货库存、封装信息等信息!

氮化镓电力有限公司 (GaNPower)

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GaNPower以各种封装形式开发基于氮化镓(GaN)的高性能功率器件和相关IC。凭借获得专利的电路拓扑,我们提供适用于GaN技术的新一代系统解决方案。

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