久芯网

UF3SC120016K4S

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 107A(Tc) 最大功耗: 517W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 405.92250 405.92250
10+ 381.30014 3813.00143
100+ 341.93973 34193.97330
  • 库存: 1616
  • 单价: ¥405.92250
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥405.92
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 供应商设备包装 TO-247-4
  • 包装/外壳 至247-4
  • 制造厂商 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 12伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 6V @ 10毫安
  • 技术 SiCFET
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 107A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@50A,12V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 218 nC@15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7824 pF @ 800 V
  • 最大功耗 517W (Tc)

UF3SC120016K4S 产品详情

UF3SC120016K4S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UF3SC120016K4S 由 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UF3SC120016K4S价格参考¥405.922500,你可以下载 UF3SC120016K4S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UF3SC120016K4S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部