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UF3C120080K4S

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 254.2W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 115.02941 115.02941
10+ 105.71304 1057.13044
100+ 89.27913 8927.91360
500+ 79.42009 39710.04500
  • 库存: 3000
  • 单价: ¥115.02942
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥115.03
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 供应商设备包装 TO-247-4
  • 包装/外壳 至247-4
  • 制造厂商 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 12伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 6V @ 10毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1500 pF@100 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43 nC @ 12 V
  • 技术 SiCFET
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@20A,12V
  • 最大功耗 254.2W(Tc)

UF3C120080K4S 产品详情

UF3C120080K4S所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UF3C120080K4S 由 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UF3C120080K4S价格参考¥115.029416,你可以下载 UF3C120080K4S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UF3C120080K4S规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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