AOD2N60和AOU2N60采用先进的高压MOSFET工艺制造,该工艺设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Cis和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可以快速应用到新的和现有的离线电源中
设计。
虚拟数据集700V@150℃
ID(VGS=10V时)2A
RDS(开启)(VGS=10V时)<4.4Ω
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 5.12754 | 5.12754 |
10+ | 4.53535 | 45.35353 |
100+ | 3.47734 | 347.73450 |
500+ | 2.74865 | 1374.32750 |
1000+ | 2.19892 | 2198.92400 |
2500+ | 1.99281 | 4982.02750 |
5000+ | 1.87408 | 9370.41500 |
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AOD2N60和AOU2N60采用先进的高压MOSFET工艺制造,该工艺设计用于在流行的AC-DC应用中提供高水平的性能和鲁棒性。通过提供低RDS(开)、Cis和Crss以及保证的雪崩能力,这些部件可以快速应用到新的和现有的离线电源中
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ID(VGS=10V时)2A
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