AOD403-HXY
- 描述:类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,20A
- 品牌: 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.93173 | 1.93173 |
| 10+ | 1.57862 | 15.78626 |
| 30+ | 1.42728 | 42.81858 |
| 100+ | 1.05935 | 105.93540 |
| 500+ | 0.97527 | 487.63900 |
| 1000+ | 0.92483 | 924.83100 |
- 库存: 10665
- 单价: ¥1.93174
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.93
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规格参数
- 类型 P沟道
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 连续漏极电流(Id) 70A
- 功率(Pd) 90W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.2mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
- 输入电容(Ciss@Vds) 3.45nF@25V
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | AOD607 | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.94014 |
 | AOD609 | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道，公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A 供应商设备包装: TO-252-4L 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | AOD604 | 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: TO-252-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.00873 |
| AOD403-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.2mΩ@10V,20A | ¥1.93174 |
| AOD4185(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.62718 |
 | AOD4184L | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A | ¥1.25041 | |
 | AOD4185-VB | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,50A | ¥4.27735 | |
| AOD4189(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥2.16285 |
| AOD4132-MS | 美森科 (MSKSEMI) | -- | ¥1.27821 |
AOD403-HXY所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AOD403-HXY 由 华轩阳电子 (HXY MOSFET) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AOD403-HXY价格参考￥1.931739，你可以下载 AOD403-HXY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AOD403-HXY规格参数、现货库存、封装信息等信息！
华轩阳电子 (HXY MOSFET)
华轩阳电子是一家持续研发、销售——高效率，高功率密度，高性能的功率器件生产厂家。产品主要是二极管Diode、三极管Transistor，瞬态抑制ESD、场效应MOS管。应用于电池管理，电源管理，电机控制...
