9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN4106FTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4106FTA参考价格0.66000美元。Diodes Incorporated ZVN4106FTA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3。您可以下载ZVN4106FTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN3310FTA是MOSFET N-CH 100V.1A SOT23-3，包括ZVN3310系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为330mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为40pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为100mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为10 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.4V@1mA，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为10欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
ZVN3320FTA是MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3，包括3V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于200 V，提供单位重量功能，如0.000282 oz，典型开启延迟时间设计为5 ns，以及6 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，系列为ZVN3320，上升时间为7ns，Rds On Max Id Vgs为25 Ohm@100mA，10V，Rds On漏极-源极电阻为25 Ohms，功率最大值为330mW，Pd功耗为330 mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为45pF@25V，Id连续漏极电流为60mA，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为7ns，漏极到源极电压Vdss为200V，电流连续漏极Id 25°C为60mA（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
ZVN4106F，带有FAIRCHILD制造的电路图。ZVN4106F采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
