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FDN86265P是MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET，包括卷盘封装，它们设计为以0.001058盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.9 ns，上升时间为2.2 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为-80 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-150V，Vgs栅极-源极阈值电压为-3.3V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为7.9ns，典型接通延迟时间为5.7ns，Qg栅极电荷为2.9nC，正向跨导最小值为1.5S，并且信道模式是增强。
FDN86501LZ，带有用户指南，包括1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为4.4 ns，以及9.6 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为1.2 ns，漏极-源极电阻Rds为198 mOhms，Qg栅极电荷为3.8 nC，Pd功耗为1.5 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT-23-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.6 A，下降时间为1.2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDP020N06B是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3。FDP020N06B在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3。
