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APTM50AM19STG是MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4，包括散装封装，它们设计为与SP4封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供安装型功能，如底盘安装，供应商设备封装设计为在SP4中工作，以及2 N沟道（半桥）FET型，该器件还可以用作1250W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供22400pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有碳化硅（SiC）FET特性，25°C的电流连续漏极Id为170A，最大Id Vgs的Rds为19mOhm@85A，10V，Vgs最大Id为5V@10mA，栅极电荷Qg-Vgs为492nC@10V。
APTM50AM24SCG是MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6，包括5V@6mA Vgs和最大Id，它们设计用于SP6供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于28mOhm@75A，10V，提供最大功率功能，如1250W，包装设计用于批量工作，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供19600pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有434nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为碳化硅（SiC），漏极-源极电压Vdss为500V，25°C电流连续漏极Id为150A。
APTM50AM24SG是MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6，包括150A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在500V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计为在434nC@10V下工作，除了19600pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP6封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为1250W，最大Id Vgs的Rds为28mOhm@75A，10V，供应商设备封装为SP6，Vgs th Max Id为5V@6mA。
