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APTM50AM19FG是MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6，包括散装封装，它们设计为与SP6封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底座安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在SP6中工作，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作1136W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供22400pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为163A，最大Id Vgs的Rds为22.5 mOhm@81.5A，10V，Vgs th最大Id为5V@10mA，栅极电荷Qg-Vgs为492nC@10V。
APTM50AM17FG是MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6，包括5V@10mA Vgs和最大Id，它们设计用于SP6供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于20 mOhm@90A，10V，提供最大功率功能，如1250W，包装设计用于批量工作，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供28000pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有560nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，25°C电流连续漏极Id为180A。
带有电路图的APTM50A15FT1G，包括25°C的25A电流连续漏极，它们设计为在500V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥）、栅极电荷Qg Vgs设计为在170nC@10V下工作以及5448pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备采用SP1封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为208W，最大电流Vgs为180mOhm@21A，10V，供应商设备封装为SP1，最大电流为5V@1mA。
