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APTM2AM10FTG是MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4，包括散装封装，它们设计用于SP4封装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于SP3，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作694W功率最大值。此外，漏极到源极电压Vdss为200V，该器件提供13700pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为175A，最大Id Vgs的Rds为12 mOhm@87.5A，10V，Vgs th最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg-Vgs为224nC@10V。
APTM20AM10STG是MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4，包括5V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于12 mOhm@87.5A，10V，提供功率最大功能，如694W，包装设计用于批量工作，以及SP4封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供13700pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有224nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为200V，25°C电流连续漏极Id为175A。
APTM2AM08FTG是MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4，包括208A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于200V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于280nC@10V，除了14400pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为781W，Rds On Max Id Vgs为10 mOhm@104A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@5mA。
