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APTM02AM04FG是MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6，包括功率MOSFET模块产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供Power MOS 7等商品名称功能，包装箱设计用于SP6，其工作温度范围为-40°C～150°C（TJ），该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为SP6，该设备为单配置，该设备具有2 N沟道（半桥）FET型，最大功率为1250W，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Ciss Vds为28900pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为372A，最大Id Vgs为5mOhm@186A，10V，Vgs最大Id为5V@10mA，栅极电荷Qg Vgs为560nC@10V，Pd功耗为1.25kW，下降时间为116ns，上升时间为64ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为372A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-源极电阻为4毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为88纳秒，典型接通延迟时间为32纳秒。
APTM120VDA57T3G带用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP3供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于POWER MOS 7R，提供Rds on Max Id Vgs功能，如684 mOhm@8.5A，10V，POWER Max设计用于390W，以及散装包装，该设备也可以用作SP3封装盒，它的工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该器件为底盘安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为5155pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为187nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1200V（1.2kV），电流连续漏极Id 25°C为17A。
APTM02AM05FG是MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6，包括317A电流连续漏极Id 25°C，设计用于200V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于448nC@10V，除了27400pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP6封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为1136W，最大Id Vgs的Rds为5 mOhm@158.5A，10V，供应商设备封装为SP6，Vgs th Max Id为5V@10mA。
