9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTM120TDU57PG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM120TDU57PG参考价格$3.524。其他APTM120TDU57PG封装/规格：MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P。您可以下载APTM120TDU57PG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APTM120TDU57PG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APTM120H29FG是MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6，包括POWER MOS 7R系列，它们设计用于散装包装，包装箱如SP6中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP6供应商设备包，该器件也可以用作4N沟道（H桥）FET型。此外，功率最大值为780W，器件提供1200V（1.2kV）漏极到源极电压Vdss，器件具有10300pF@25V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为34A，最大Id Vgs上的Rds为348 mOhm@17A，10V，Vgs最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg-Vgs为374nC@10V。
APTM120H57FT3G是MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3，包括5V@2.5mA Vgs和最大Id，它们设计用于SP3供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于684 mOhm@8.5A，10V，提供功率最大功能，如390W，封装设计用于批量工作，以及SP3封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供5155pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有187nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1200V（1.2kV），25°C电流连续漏极Id为17A。
APTM120H57FTG是MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4，包括17A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1200V（1.2kV）漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于187nC@10V，除了5155pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为390W，Rds On Max Id Vgs为684 mOhm@8.5A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
