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APTM10DHM09TG

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 139A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥1,242.85267
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 机箱安装
  • 部件状态 过时的
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2 N通道(双通道)不对称
  • 包装/外壳 SP4
  • 供应商设备包装 SP4
  • 最大功率 390瓦
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 139A
  • 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@69.5A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 2.5毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 350nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9875皮法@25V
  • 制造厂商

APTM10DHM09TG 产品详情

APTM10DHM09TG所属分类:场效应晶体管阵列,APTM10DHM09TG 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。APTM10DHM09TG价格参考¥1242.852668,你可以下载 APTM10DHM09TG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APTM10DHM09TG规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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