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APTM100H46FT3G，带引脚细节，包括功率MOS 8？系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP3，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于机箱安装，以及SP3供应商设备包，该设备也可以用作4 N通道（H桥）FET类型。此外，功率最大值为357W，器件提供1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，器件具有6800pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为19A，最大Id Vgs上的Rds为552mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为260nC@10V。
APTM100H45SCTG是MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于与SP4供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于POWER MOS 7R，提供Rds on Max Id Vgs功能，如540 mOhm@9A、10V，POWER Max设计用于357W，以及散装封装，该器件也可用作SP4封装盒，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该器件为底盘安装型，该器件具有4350pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为154nC@110V，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），25°C的电流连续漏电流Id为18A。
APTM100H45STG带电路图，包括18A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了FET特性，用于标准，提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于154nC@10V，除了4350pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为357W，Rds On Max Id Vgs为540 mOhm@9A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
