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APTM100A23SCTG是MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4，包括散装封装，它们设计为与SP4封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在SP4中工作，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作694W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），该器件提供8700pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有碳化硅（SiC）FET特性，25°C的电流连续漏极Id为36A，最大Id Vgs的Rds为270mOhm@18A，10V，Vgs的最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg Vgs为308nC@10V。
APTM100A18FTG带有用户指南，包括5V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于210 mOhm@21.5A，10V，提供780W等最大功率功能，包装设计用于散装，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供10400pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有372nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1000V（1kV），25°C电流连续漏极Id为43A。
APTM100A23STG是MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4，包括36A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供了FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于308nC@10V，除了8700pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为694W，Rds On Max Id Vgs为270 mOhm@18A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@5mA。
