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APTM08TDUM04PG

  • 描述:场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 机箱安装
  • 部件状态 过时的
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 漏源电压标 (Vdss) 75V
  • 包装/外壳 SP6
  • 供应商设备包装 SP6-P
  • 制造厂商
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.5毫欧姆 @ 60A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 153nC@10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4530皮法 @ 25V
  • 最大功率 138瓦

APTM08TDUM04PG 产品详情

APTM08TDUM04PG所属分类:场效应晶体管阵列,APTM08TDUM04PG 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。APTM08TDUM04PG价格参考¥5.823292,你可以下载 APTM08TDUM04PG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询APTM08TDUM04PG规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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