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APTC90DA12T1G，带引脚细节，包括CoolMOS？系列，它们设计用于托盘包装，包装箱如数据表注释所示，用于SP1，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于底盘安装，以及SP1供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双降压斩波器）FET类型。此外，功率最大值为250W，该器件提供900V漏极到源极电压Vdss，该器件具有6800pF@100V输入电容Cis-Vds，FET特性为超级结，电流连续漏极Id 25°C为30A，最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@26A，10V，Vgs最大Id为3.5V@3mA，栅极电荷Qg Vgs为270nC@10V。
APTC90DSK12T1G带用户指南，包括3.5V@3mA Vgs th Max Id，设计用于SP1供应商设备包，数据表注释中显示了用于CoolMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如120 mOhm@26A，10V，Power Max设计用于250W，以及托盘封装，该设备也可以用作SP1封装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备为底盘安装型，该设备具有6800pF@100V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为270nC@10V，FET类型为2 N沟道（双降压斩波器），FET特性为超级结，漏极到源极电压Vdss为900V，电流连续漏极Id为25°C为30A。
APTC90H12SCTG是MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4，包括30A电流连续漏极Id 25°C，设计用于900V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于超级结的FET特性，提供FET类型特性，如4 N沟道（H桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于270nC@10V，除了6800pF@100V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该器件采用SP4封装盒，该器件具有大容量封装，最大功率为250W，Rds On Max Id Vgs为120 mOhm@26A，10V，系列为CoolMOS？，供应商设备包为SP4，Vgs th Max Id为3.5V@3mA。
