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FDMQ8403

描述:场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: 12-MLP（5x4.5）工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌:
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 244

库存: 0
单价: ¥8.90877
数量:
- +
总计: ¥2,173.74

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规格参数

部件状态可供货
制造厂商
漏源电压标 (Vdss) 100伏
安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管特性标准
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
漏源电流 (Id) @ 温度 3.1A
场效应管类型 4 N-Channel (H-Bridge)
导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@3A，10V
包装/外壳 12-WDFN外露衬垫
供应商设备包装 12-MLP（5x4.5）
最大功率 1.9瓦
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 215华氏度@15伏

FDMQ8403 产品详情

N沟道PowerTrench®MOSFET绿桥™ 100V、6A、110mΩ高效桥式整流器系列

特色

VGS=10 V，ID=3 A时，最大rDS（开）=110 mΩ
VGS=6 V，ID=2.4 A时，最大rDS（开）=175 mΩ
PD解决方案的显著效率效益
符合RoHS

应用

中央办公室

FDMQ8403 相关器件

型号	制造商	描述	价格
FDMS8350L		FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC	¥18.45513
FDMS86252L		FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G	¥5.49287
FDMS8350LET40		FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT	¥14.31219
FDMS86104		N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE	¥7.81299
FDMS3672		FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR	¥8.85082
FDMA6676PZ	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）最大功耗: 2.4W（Ta）供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥34.78041
FDMS86568-F085	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj）供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥23.80017
FDMS8558S	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 25伏漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc）供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥34.59209
FDMS9410L-F085	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥166.47081
FDMS2D4N03S	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc）最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.60601

FDMQ8403所属分类：场效应晶体管阵列，FDMQ8403 由设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMQ8403价格参考￥8.908767，你可以下载 FDMQ8403中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMQ8403规格参数、现货库存、封装信息等信息！