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FDC6306P是MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于FDC6306P_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001270盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可作为硅技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2个通道数，供应商设备包为SuperSOT-6，且配置为双，FET类型为2 P通道（双），最大功率为700mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为441pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.9A，最大Id Vgs上的Rds为170 mOhm@1.9A，4.5V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为4.2nC@4.5V，Pd功耗为960mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为9 ns，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为1.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为170mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为6ns，正向跨导最小值为4s，沟道模式为增强。
FDC6306P-NL，带有SON/FAIRCHILD制造的用户指南。FDC6306P-NL采用SSOT6L封装，是IC芯片的一部分。
FDC6308，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDC6308采用SOT-163封装，是IC芯片的一部分。
