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FDC021N30

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥3.31931
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    - +
  • 总计: ¥3.32
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.1A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 26毫欧姆@6.1A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.8 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 710 pF @ 15 V
  • 最大功耗 700mW (Ta)
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.

FDC021N30 产品详情

FDC021N30所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDC021N30 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC021N30价格参考¥3.319314,你可以下载 FDC021N30中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC021N30规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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