特色
- -2.2安培，-20伏
- RDS（开启）=125mΩ@VGS=-4.5 V
- RDS（开启）=190mΩ@VGS=-2.5 V
- 低栅极电荷
- 快速切换速度
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
- 超级SOT™ -6封装：占地面积小，比标准SO-8小72%；薄型（1mm厚）
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDC6310P
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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-
数量:
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大功率 700mW
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 供应商设备包装 SuperSOT-6.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.2A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.2nC @ 4.5V
- 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@2.2A，4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 337皮法 @ 10V
FDC6310P 产品详情
这些P沟道2.5V特定MOSFET是使用先进的PowerTrench®工艺生产的，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷，从而获得优异的开关性能。这些设备设计用于在非常小的占地面积内提供卓越的功耗，适用于更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装不切实际的应用。
FDC6310P 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| FDC658P_NB4E011 | 安盛美 (onsemi) | IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT | ¥0.32968 |
| FDCD-37PF-610A100 | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥53.36569 |
 | FDC021N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
| FDC37C653QFP | FLOPPY DISK CONTROLLER | ¥38.31494 | |
| FDC37M813QFP | PC98/99 COMPLIANT ENHANCED SUPER | ¥16.87596 | |
| FDC37C65BLJP | 2.88MB FLOPPY DISK CONTROLLER | ¥43.52983 | |
| FDC37B777QFP | ENHANCED SUPER I/O CONTROLLER | ¥35.99721 | |
 | FDC92C39BTP | ENHANCED FLOPPY DISK INTERFACE | ¥84.81436 | |
 | FDC37C669FRQFP | SUPER I/O WITH LPC INTERFACE | ¥35.99721 | |
 | FDC6332L | 安盛美 (onsemi) | 开关种类: 一般用途 输出类别: P-通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 1.8伏~8伏 供应商设备包装: SuperSOT-6. | ¥21.00441 |
FDC6310P所属分类：场效应晶体管阵列，FDC6310P 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDC6310P价格参考￥1.810725，你可以下载 FDC6310P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDC6310P规格参数、现货库存、封装信息等信息！